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随着元器件敏感节点临界电荷的降低，荷能质子不仅可以通过在半导体器件中的核反应，而且还可以通过直接电离引起元器件单粒子效应。多层金属布线的使用加深了核反应对重离子单粒子效应的影响。利用具有相同LET 值，种类和能量不同的重离子测试相同器件可以获得不同的单粒子翻转截面值。因此，元器件集成度的增加，其单粒子效应加速器测试中出现新的现象，对元器件的在轨事件率预测方法提出了新的要求。