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软击穿(SBD)效应是5nm以下的SiO2主要失效模式.于是,软击穿就成为现代超薄绝缘栅集成电路的关键可靠性问题之一.本文主要研究了SiO2软击穿后电流路径的微观几何结构。
关于SiO2软击穿后电流路径的微观几何结构的研究
【摘 要】
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软击穿(SBD)效应是5nm以下的SiO2主要失效模式.于是,软击穿就成为现代超薄绝缘栅集成电路的关键可靠性问题之一.本文主要研究了SiO2软击穿后电流路径的微观几何结构。
【机 构】
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北京大学微电子研究院,北京,100871
【出 处】
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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
【发表日期】
：
2005年期
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