为准确的描述SiC MOSFET 的静态特性和动态特性,本文提出了一种新型的SiC MOSFET 的PSpice 仿真模型。该模型由一个理想的MOSFET,加上外围电路元件组成。为获得SiC MOSFET 的转移特性和输出特性,建立LEVEL 1 MOSFET 模型。通过datasheet 提供的转移特性和输出特性曲线图,选取采样点,简化参数提取流程。为获得更加准确的开通与关断波形,本文采用了一种新型的压控栅漏电容子电路作为SiC MOSFET 的栅漏电容,通过栅漏电容的数学表达式,量化SiC MOSFET 的栅漏电容在开关过程中的变化。此外,基于本文提出的SiC MOSFET 模型,对SiC MOSFET 在室温下的静态特性和动态特性进行了仿真。最后,基于boost 实验平台对SiC MOSFET 的开关特性进行了测试。测试结果与仿真结果的对比验证了本文所提出的SiC MOSFET 电路模型的正确性。