作为非金属半导体材料,石墨相氮化碳(g-C3N4)不仅具有合适的带隙,而且还具有良好的物理化学性质,如良好的热稳定性,优良的光电性质,强抗氧化能力等[1].因此,g-C3N4已广泛应用于光催化降解、光解水、二氧化碳还原等领域.众所周知,g-C3N4的导带(CB)位置约-1.3 eV,表明其CB位置对于光解水产氢是可行的.然而,g-C3N4价带(VB)的位置约1.4 eV,其还不足以将OH-氧化成·OH.然而在环境光催化应用中,光催化剂的氧化能力往往比还原性能更为重要[2].因此,通过降低VB的位置来提高g-C3N4的氧化能力较为关键.本研究工作我们利用自组装方法制备高产率g-C3N4纳米管.采用两步合成法：第一步,通过水热反应将三聚氰胺转化为棒状的超分子中间产物；第二步,煅烧超分子中间产物,最终得到g-C3N4纳米管.重点讨论了棒状超分子中间产物和g-C3N4纳米管的形成机制.通过光催化降解亚甲基蓝(MB)来评估g-C3N4纳米管的光催化活性.此外,VB位置的改变对光催化活性的影响可见光催化机理也进行了讨论.