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离子束溅射沉积薄膜技术广泛用于高质量半导体薄膜和光学薄膜的制备工艺，在制备过程中生长条件的选取决定了薄膜的质量和性能。本文采用LDJ-2A-F150双离子束溅射系统在宝石衬底上沉积Au膜，通过正交试验设计优化Au膜沉积参数，重点研究了离子束能量，束流和加速电压三个因素。通过对Au膜归一化电阻和室温、低温电阻变化率的正交分析得到：离子束流对归一化电阻和电阻变化率影响最大，并获得了最佳的生长条件。这表明：正交试验设计可以作为双离子束溅射系统参数的有效优化方法，该方法也可用于对光学薄膜制备的参数进行优化。