化合物半导体材料性能与其绝对化学式的相关性

来源 :第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhongtuo97
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
发现了对化合物半导体调控p型与n型的一直被半导体研究者们忽略的规则,这一规则将原本看上去无关的载流子浓度、p型与n型调控与材料的绝对化学式直接联系起来:可以表示为在不存在反位替代的情况下,材料的p型与n型仅由其绝对化学式决定(图1举例说明);或者说,在绝对化学式确立后,掺杂原子和空位缺陷的具体情况不影响材料的最终pn型,但会影响材料的载流子浓度和迁移率.
其他文献
高质量非极性面取向ZnOS薄膜的生长制备及其结构和性能探究具有重要的学术意义和潜在应用价值.由于极性面量子阱受到斯塔克效应的影响,近年来人们对ZnO的研究已经扩展到了非
面向量子器件实用化和集成化的发展趋势,基于半导体量子点的全固态器件方案是实现单光子源的理想选择.在这方面,国际上有很多研究组进行该方面的研究.到目前为止,已有利用InA
会议
声表面波(Surface Acoustic Wave,SAW)器件是射频滤波、信号延迟、脉冲压缩等,是无线通讯、导航等领域中信号处理技术的核心元件之一,具有插入损耗低、阻带抑制比高、带宽较
会议
本文利用脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition,PLD)的方法,通过调控AZO薄膜的衬底温度和氧分压,获得方阻为17.03Ω/sq的高导电率AZO薄膜.详细研究了衬底温度和氧分压对AZO
会议
会议
氧化锌(ZnO)是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体,禁带宽度3.37eV,在可见光区域是透明的,因而ZnO基氧化物薄膜是一种可用于制备透明电子器件的半导体材料.本文中,主要探讨ZnO:Al(AZO)
目前液晶显示或有机LED显示的背板驱动电路仍然以非晶硅或者低温多晶硅晶体管作为主要元件,但由于非晶硅的迁移率低(~1cm2/Vs)和多晶硅的均匀性差等缺点,硅基薄膜晶体管不能满
会议
  石墨烯具有优良的电学、光学、热学、机械以及化学稳定性能,其在电子领域的应用受到了广泛关注和研究。金刚石良好的导热性及绝缘性能使其成为FET的理想衬底。因此,将石
会议
氧化物薄膜晶体管(TFT)因具有载流子迁移率高、关态电流小、宽禁带和工艺温度低等特点,在高分辨率、大面积、柔性、3D、透明和OLED等新型显示技术领域显示出良好的应用前景.
会议
  基于氧化物半导体的薄膜晶体管(Oxide TFTs)以其优异的性能被认为是在OLED显示中具有很大的应用潜力一种TFT[1,2].与传统的硅基TFT相比,氧化物TFT具有载流子迁移率较高、
会议