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中高能医用电子加速器中的光中子问题是辐射物理中一个突出的问题，在国外，对光中子问题的研究正大广泛开展。光中子问题的研究中很重要的一步是计算光中子产额。计算了电子加速器中不同能量的电子垂直入射到钨靶和金靶上的光中子产额。文中采用MonteCarlo程序EGS4对电子光子簇在靶中的输运进行模拟，计算出光子在靶中的径迹长度，从而求出光中子产额。该文中对电子加速器钨靶和金靶中的光中子产额进行了大量的计算，力得到电子加速器中光中子产额随打靶电子能量变化的规律及随靶厚度变化的规律，为加速器靶和屏蔽系统的设计提供依据，并为计算光中子的剂量分布和复合靶中的光中子产额奠定基础。