微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)在Si衬底上生成β-C<,3>N<,4>晶态薄膜的研究

来源 :中国真空学会第五届学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ely_5
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以N〈,2〉、CH〈,4〉作为反应气体,采用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)进行碳氮膜的合成研究。通过控制反应温度、气体流量、微波功率、反应气压,在Si(111)和Si(100)衬底上气相合成β-C〈,3〉N〈,4〉晶态薄膜。扫描隧道显微镜(SEM)下观察到生长在Si基底上的薄膜具有六角晶棒的密排结构。EDX分析表明随沉积条件的不同,六角晶棒中N/C在1.0到2.0之间。X射线衍射分析(XRD)发现薄膜中含有β-C〈,3〉N〈,4〉、α-C〈,3〉N〈,4〉和CN相。X射线光电子能谱(XPS)研究发现碳和氮以共价键结合。纳米显微硬度测试结果显示生成的碳氮薄膜具有较高的硬度。另外,反应温度对薄膜中各成分相对含量的影响也作了分析。
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