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会议论文
Ku波段6W GaAs内匹配功率管
Ku波段6W GaAs内匹配功率管
来源 :第六届全国毫米波亚毫米波学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:eric_nj
【摘 要】
:
本文介绍了采用介质辅助T型栅工艺研制的12 mm GaAs功率PHEMT.用一枚这种芯片采用内匹配技术制成Ku波段6 W内匹配管.在13.5~14.0 GHz频带内,饱和输出功率6.45 W,功率增益7.1 d
【作 者】
:
钟世昌
陈堂胜
林罡
李拂晓
【机 构】
:
单片集成电路与模块电路国家级重点实验室,江苏,210016
【出 处】
:
第六届全国毫米波亚毫米波学术会议
【发表日期】
:
2006年期
【关键词】
:
波段
内匹配管
功率附加效率
饱和输出功率
匹配技术
功率增益
工艺研制
芯片
频带
介质
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本文介绍了采用介质辅助T型栅工艺研制的12 mm GaAs功率PHEMT.用一枚这种芯片采用内匹配技术制成Ku波段6 W内匹配管.在13.5~14.0 GHz频带内,饱和输出功率6.45 W,功率增益7.1 dB,功率附加效率34%.
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