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通过 Fe3O4纳米粒子为催化剂,使用钼网作为模版,在 Si(111)基底上采用碳热还原化学气相沉积的方法实现了硼纳米线的图案化制备,并对硼纳米线的结构和图案化的场发射性质进行了分析和测试.图案化的硼纳米线的开启电场是 4.6 V/μm,阈值电场是 9.2 V/μm.场发射性质研究表明优良的场发射性质来源于图案化的生长降低了无规生长的硼纳米线之间的屏蔽效应.这一优异结果表明图案化的生长提高了硼纳米线的场发射性能.