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本文介绍了星用C波段低噪声场效应晶体管研制过程中材料、0.25um精细准“T”型栅、金属化系统、Si＜，3＞N＜，4＞钝化、装架技术和颗粒噪声（PIND）等多项可靠性专题研究。给出了研制的高可靠低噪声GaAs FET在4GHz下的测试结果：噪声系数N＜，f＞＜0.6dB(最佳值0.44dB)，相关增益G＜，p＞＞12dB（最佳值14.dB）。