【摘 要】
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利用直流反应磁控溅射技术在玻璃上制备了高透过率和低电阻率的ZnO:Ga薄膜,研究了溅射压强对ZnO:Ga透明导电薄膜电学性能的影响,并通过与未掺杂ZnO薄膜的比较,研究了Ga掺杂元素对ZnO薄膜结构、光学性能的作用。Hall测试表明沉积压强为1.5Pa时制备的薄膜电阻率最低,通过进一步分析载流子浓度、薄膜晶粒尺寸与迁移率的关系,表明直流磁控溅射ZnO:Ga薄膜的载流子迁移率主要由晶界处电荷缺陷引起
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州 310027 浙江大学硅材料国家重点实验室, 杭州 3100
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利用直流反应磁控溅射技术在玻璃上制备了高透过率和低电阻率的ZnO:Ga薄膜,研究了溅射压强对ZnO:Ga透明导电薄膜电学性能的影响,并通过与未掺杂ZnO薄膜的比较,研究了Ga掺杂元素对ZnO薄膜结构、光学性能的作用。Hall测试表明沉积压强为1.5Pa时制备的薄膜电阻率最低,通过进一步分析载流子浓度、薄膜晶粒尺寸与迁移率的关系,表明直流磁控溅射ZnO:Ga薄膜的载流子迁移率主要由晶界处电荷缺陷引起的晶界散射所限制.所制备的ZnO:Ga薄膜与未掺杂ZnO薄膜在可见光区的透过率均大于90％,但与未掺杂ZnO薄膜相比,ZnO:Ga薄膜吸收边发生明显的蓝移.
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采用溶胶-凝胶法、浸渍提拉的涂膜方法在镀锌铸铁片表面制备TiO2薄膜,并且添加PEG制备PEG/TiO2薄膜,通过SEM、XRD等表征手段,对膜面的均匀程度、粒子大小以及晶型进行研究,通过对低浓度甲基橙溶液的降解研究膜的光催化氧化活性,以及水滴在膜面铺展角度的照片研究制备条件对亲水性大小的影响.
以MgO陶瓷为靶材,采用脉冲激光沉积技术在Si(111)衬底上制备MgO薄膜,重点研究了衬底温度对MgO薄膜结构的影响.利用X射线衍射测试了不同衬底温度下沉积的薄膜物相和结晶度,通过原子力显微镜对其表面形貌进行了观察.结果表明,随着衬底温度的升高,薄膜的结晶性提高.450℃时,得到了物相单一、结晶良好、表面平整光滑、致密且沿(100)方向择优取向生长的MgO薄膜.
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