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Si 纳米线因其优异的光电性能在提高太阳电池效率与降低成本上具有很大的潜力,已成为当前太阳电池领域的研究热点。本文首先利用Lorenz-Mie 光散射理论研究了几种典型同轴Si 纳米线的光吸收机理,并结合漂移扩散输运模型建立了同轴Si 纳米线光伏器件物理模型;其次利用金属辅助化学刻蚀(MACE)方法实现了光滑表面Si 纳米线阵列的可控生长,并初步制备了Si/a-Si:H 核壳纳米线阵列;最后采用严格耦合波分析(RCWA)方法研究了两种Si 纳米线阵列的光学性质。