12Cr-ODS钢He、H离子辐照缺陷的正电子湮灭寿命谱研究

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ODS钢因在高温条件下具有良好的力学性能,优良的抗蠕变性能及抗中子辐照肿胀性能而成为先进核能系统如快堆(FBR)结构材料、聚变堆第一壁材料的最佳选择[1]。在反应堆环境下,材料不仅受单一载能粒子作用,而且受多种粒子(裂变碎片、中子、α粒子、质子等)的协同作用[2]。与单一粒子的辐照效应相比,多种粒子对材料的协同辐照效应存在显著差异,因此有必要对其辐照损伤机制开展深入研究,这对核材料在反应堆中的实际应用具有重要影响。在室温条件下对12Cr-ODS钢开展了多能量He/H离子单一注入及共注入实验,He离子能量分别为2.8MeV、2.9MeV、3.0MeV、3.1MeV,H离子能量分别为800keV、825 keV、850 keV、875 keV,以使得两种离子近似分布在同一深度。对He、H单离子注入样品,剂量分别为1×1014/cm2,1×1015/cm2,对He、H离子共注入样品,剂量分别为(5×1013/5×1013)/cm2,(5×1014/5×1014)/cm2,随后对空白样品及辐照样品开展了正电子湮灭寿命谱实验,实验采用快-快符合测量系统,22Na正电子源强度约20μCi,BaF2探测器时间分辨率约为230ps,统计计数1×106个,利用POSITRONFIT、程序对正电子寿命数据进行解析。实验结果表明:经辐照后短寿命τ1略有增加,从空白样品的123ps增加到高剂量H离子注入的131ps,而长寿命τ2从空白样品的277ps增加到高剂量H离子注入的296ps。对于H离子辐照样品,τ1、τ2随离子剂量增加而增大,对于He离子、He/H离子共注样品τ1、τ2随离子剂量增加而减小。τ1为正电子在单空位、位错环等小型缺陷中的寿命,而τ2为正电子在空位团簇等大型缺陷中的湮灭寿命。H原子易于在金属中扩散,大部分H原子都扩散到晶体点阵间隙,少部分可能被空位、位错、晶界等缺陷捕获;而He原子为惰性气体原子,倾向于被空位团簇捕获,且H-空位复合体解离能小于He-空位复合体解离能,此外He-空位复合体也是H的捕获中心,因此H离子辐照样品由于空位团缺乏填充原子而寿命变大,而He离子、He/H离子共注样品由于空位团被He原子、He/H原子填充而寿命减小。He、H原子与辐照缺陷作用的不同是造成正电子湮灭寿命存在差异的原因。
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