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用固定能量为20kev，注量为10<11>～10<13>/cm<2>的质子和固定注量为1×10<11>／cm<2>，能量为30～100keV的质子，对GaAs／AlGaAs多量子阱材料进行辐照，得到了材料的荧光特性随质子能量和注量的变化关系，并进行了讨论。结果表明，质子辐照对材料的光学性质有破坏性的影响，这种影响是通过两种机制引起的，相同能量的质子辐照，随着辐照注量的增大，对量子饼荧光峰的破坏增大。相同注量的质子辐照，当辐照质子的射程刚好覆盖整个量子饼结构区域时，对量子阱荧光峰的破坏最严重，当辐照质子的射程超过量子阱结构区域时，对量子阱荧光峰的破坏反而减小。