【摘 要】
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本文介绍了一种新颖、简易的制备一维ZnO纳米针的方法,即在金属基板表面电沉积一层金属Zn纳米晶,将该纳米晶置于高温炉中,通过热氧化法可成功的制备一维ZnO纳米针.同时,研究
【机 构】
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武汉大学,物理科学与技术学院,武汉,430072
【出 处】
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2006第五届中国(国际)纳米科技西安研讨会
论文部分内容阅读
本文介绍了一种新颖、简易的制备一维ZnO纳米针的方法,即在金属基板表面电沉积一层金属Zn纳米晶,将该纳米晶置于高温炉中,通过热氧化法可成功的制备一维ZnO纳米针.同时,研究了不同的热氧化温度因素对一维ZnO纳米针的制备及其形貌的影响.在本方法中,一维ZnO纳米针材料对应于初始电沉积层的Zn纳米晶颗粒,这与其他方法中ZnO的生长机制不同,可以认为本方法的ZnO的生长遵从自催化扩散机制.同时,研究了一维ZnO纳米针薄膜的场发射效应,开启电压为0.5 Vμm-1,最大电流密度可达1.1 mAcm-2,并具有良好的线性F-N特性.
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