【摘 要】
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应用蒙特卡罗程序(MCNP4B)和基于“窄束衰减法则”的分析方法,本文研究分析了单层和多层材料对黑体辐射X光的屏蔽优化问题,计算了X光穿透屏蔽材料的能通量及相应在硅材料中的
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应用蒙特卡罗程序(MCNP4B)和基于“窄束衰减法则”的分析方法,本文研究分析了单层和多层材料对黑体辐射X光的屏蔽优化问题,计算了X光穿透屏蔽材料的能通量及相应在硅材料中的总电离剂量(TID),给出了X屏蔽优化设计的一种快速计算分析方法.通过优化屏蔽计算,给出了在总屏蔽质量限定或总电离剂量限定条件下的优化屏蔽结果.
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