【摘 要】
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采用MOCVD技术对GaN衬底上生长单晶GaP薄膜以及P型GaP层进行了研究。通过优化生长条件，在GaN上生长出了单晶GaP薄膜，其(111)X射线衍射半高宽为408弧秒。以Cp2Mg为掺杂剂，对p型GaP的掺杂生长进行了研究，在GaN上获得了空穴浓度为4.4×1018cm-3，迁移率为8.6cm2N·S的p型GaP单晶膜。
【机 构】
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广州LED研发基地,华南师范大学,广东广州,510631 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东
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采用MOCVD技术对GaN衬底上生长单晶GaP薄膜以及P型GaP层进行了研究。通过优化生长条件，在GaN上生长出了单晶GaP薄膜，其(111)X射线衍射半高宽为408弧秒。以Cp2Mg为掺杂剂，对p型GaP的掺杂生长进行了研究，在GaN上获得了空穴浓度为4.4×1018cm-3，迁移率为8.6cm2N·S的p型GaP单晶膜。
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