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利用Cat-CVD高氢稀释的条件，制备出自然后氧化的n-a-Si:H其结构因子低，短波透光性好，电学性能较好。将高氢稀释下自然后氧化的n-a-Si:H薄膜用于SHJ电池窗口层，电池短路电流密度及效率显著提升。
非晶硅窗口层的自然氧化及其对SHJ太阳电池性能的改善
【摘 要】
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利用Cat-CVD高氢稀释的条件，制备出自然后氧化的n-a-Si:H其结构因子低，短波透光性好，电学性能较好。将高氢稀释下自然后氧化的n-a-Si:H薄膜用于SHJ电池窗口层，电池短路电流密度及效率显著提升。
【机 构】
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上海微系统所
【出 处】
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2018 年第十四届中国太阳级硅及光伏发电研讨会
【发表日期】
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2018年11期
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