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在金属基底上制备石墨烯是目前应用最广泛的方法,针对它的机理分析也很多,其中关于渗碳析碳机理和表面催化机理谁起主导作用一直存在争论;有人认为在低压CVD中表面催化作用起主要作用,在常压CVD中表面催化作用和偏析起共同作用[1],也有人认为偏析作用在石墨烯的制备过程中起到非常重要的作用[2],例如:在镍基底上制备石墨烯的机理是渗碳析碳机理,在铜镍合金基底上是共析机理,在镍锰合金基底上是互补性二元合金催化法等。为了理解偏析在铜基底上石墨烯制备过程中的作用,本文通过不同的冷却速率,分析碳元素在常压CVD制备石墨烯的过程中,表面催化和偏析到底是谁占主导作用。