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该文简单介绍了双电测方法测量大尺寸（包括棒状）硅材料样品是阻率的初步结果。这是双电测方法在测量薄片电阻率取得成功后，首次在这蚊面进行的测量探讨。这种方法对探针间距没有严格要求，尤其是用一种计算公式，即能测薄片电阻率又能测棒状材料电阻率这是常规四探针方法不能比拟的。
不等距四探针在测量硅材料电参数方面的应用
【摘 要】
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该文简单介绍了双电测方法测量大尺寸（包括棒状）硅材料样品是阻率的初步结果。这是双电测方法在测量薄片电阻率取得成功后，首次在这蚊面进行的测量探讨。这种方法对探针间距没有
【机 构】
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计量科学研究院(北京)
【出 处】
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第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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1999年期
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