【摘 要】
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利用甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）技术,研究了氢稀释率（SC（SiH4/SiH4+H2）=10%～1%）对硅基薄膜微结构及光电性能的影响。结果表明,当硅烷浓度在10%～2%范围内时,随硅烷浓
【基金项目】
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科技部“973”项目资助(G2000028202,G2000028203)
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利用甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）技术,研究了氢稀释率（SC（SiH4/SiH4+H2）=10%～1%）对硅基薄膜微结构及光电性能的影响。结果表明,当硅烷浓度在10%～2%范围内时,随硅烷浓度的减小,样品的暗电导增大,光暗电导比逐渐减小。但是当硅烷浓度为1%时,光敏性突然增大,样品的光暗电导比(σph/σd)达到4.6×10-6,电导激活能Ea=0.795eV,带隙Eg=1.96eV。结合样品的FTIR谱,我们认为,在氢稀释率较低时,随着氢稀释的增大,样品由非晶硅薄膜向微晶硅薄膜逐渐过渡。当氢稀释率高到SC=1%时,样品转变为蚋米硅薄膜。这种宽带隙、高光敏性的氢化纳米硅有望成为一种新颖的光伏材料。
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