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The Study of in-Situ Growth Mechanism of Magnetized Plasma-Assisted Atomic Layer Deposition of Al2O3

来源 :2011年第三届微电子及等离子体技术国际会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：menghuilong

【摘 要】

：

Growth mechanism during plasma-assisted atomic layer deposition (PA-ALD) of Al2O3 thin film was studied by in-situ spectroscopic ellipsometry.Herein the trimethylaluminum (TMA) and O2 were used as the

【作 者】

：

Xingcun Li Wenwen Lei Qiao Zhao Zhenduo Wang Qiang Chen 

【机 构】

：

Laboratory of Plasma Physics and Materials, Beijing Institute of Graphic Communication, Beijing 1026

【出 处】

：

2011年第三届微电子及等离子体技术国际会议

【发表日期】

：

2011年9期

【关键词】

：

growth mechanism atomic layer deposition Al2O3 spectroscopic ellipsometry 

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Growth mechanism during plasma-assisted atomic layer deposition (PA-ALD) of Al2O3 thin film was studied by in-situ spectroscopic ellipsometry.Herein the trimethylaluminum (TMA) and O2 were used as the precursor and the oxidant,respectively.

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