【摘 要】
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以NTD硅单晶片,采用多重扩散、光刻、电子束镀膜、喷射腐蚀等工艺,制成Φ100mm5000 ̄5500V特大功率晶闸管。它具有低的通态压降,高dv/dt额定值以及灵敏的控制特性,由于采用了多支脉门极-阴极图形结构,动态性
【出 处】
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中国电工技术学会电力电子第六次全国学术会议
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以NTD硅单晶片,采用多重扩散、光刻、电子束镀膜、喷射腐蚀等工艺,制成Φ100mm5000 ̄5500V特大功率晶闸管。它具有低的通态压降,高dv/dt额定值以及灵敏的控制特性,由于采用了多支脉门极-阴极图形结构,动态性优良,它是HVDS、SVC等高压装置的关键基础器件;也可用于冶金电解、直流电机调速、直流电弧炉等大型机电设备。
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