【摘 要】
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以ＮＴＤ硅单晶片，采用多重扩散、光刻、电子束镀膜、喷射腐蚀等工艺，制成Φ１００ｍｍ５０００￣５５００Ｖ特大功率晶闸管。它具有低的通态压降，高ｄｖ／ｄｔ额定值以及灵敏的控制特性，由于采用了多支脉门极－阴极图形结构，动态性
【出 处】
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中国电工技术学会电力电子第六次全国学术会议
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以ＮＴＤ硅单晶片，采用多重扩散、光刻、电子束镀膜、喷射腐蚀等工艺，制成Φ１００ｍｍ５０００￣５５００Ｖ特大功率晶闸管。它具有低的通态压降，高ｄｖ／ｄｔ额定值以及灵敏的控制特性，由于采用了多支脉门极－阴极图形结构，动态性优良，它是ＨＶＤＳ、ＳＶＣ等高压装置的关键基础器件；也可用于冶金电解、直流电机调速、直流电弧炉等大型机电设备。
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