【摘 要】
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采用磁控溅射设备溅射Ag/Zn0背电极,背电极的金属层的表面粗糙度,散射和Haze随着衬底温度的增大呈现增大的趋势.改变磁控溅射类型,得出在射频磁控溅射下比在直流磁控溅射下得
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光学信息技术科学教育部重点实验室,天津, 300071
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采用磁控溅射设备溅射Ag/Zn0背电极,背电极的金属层的表面粗糙度,散射和Haze随着衬底温度的增大呈现增大的趋势.改变磁控溅射类型,得出在射频磁控溅射下比在直流磁控溅射下得到的金属层在长波段的表面粗糙度,散射和Haze有所增大.选用射频磁控溅射在250℃的衬底上溅射Ag/Zn0背电极,将优化的的背电极应用到nip电池中,得到在a-SiGe/a-Si双结叠层电池中效率达到9.45%,其中Jsc=9.37mA/cm2,FF=O.616,Voc=1.637V.
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