【摘 要】
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利用共沉法制备的Ce0.8(Gd1-xBix)0.2O1.9,对于其结构、热膨胀和离子导电率进行研究.Ce0.8(Gd1-xBix)0.2O1.9在1 350-1 450 ℃范围内持温6 h进行烧结,Ce0.8(Gd1-xBix)0.2O1.9
【机 构】
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东华大学材料科学与工程系,花莲,97401
【出 处】
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中国颗粒学会超微颗粒专业委员会第五届年会
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利用共沉法制备的Ce0.8(Gd1-xBix)0.2O1.9,对于其结构、热膨胀和离子导电率进行研究.Ce0.8(Gd1-xBix)0.2O1.9在1 350-1 450 ℃范围内持温6 h进行烧结,Ce0.8(Gd1-xBix)0.2O1.9块材密度皆高于95％理论密度,可发现Ce0.8(Gd0.5Bi0.5)0.2O1.9有最大的离子导电率σ800 ℃=0.078 S/cm且有最小的活化能Ea=0.638 eV.以共沉法制备添加铋的氧化钆掺杂氧化铈可降低烧结温度.Ce0.8(Gd1-xBix)0.2O1.9的热膨胀系数分布在(20.132-20.478)×10-6/℃之间.致密的Ce0.8(Gd1-xBix)0.2O1.9其破裂韧性在1.28-2.60 MPa·ml/2之间,且破裂韧性的值会随着铋的含量增加而提高.说明藉由添加铋可改善氧化钆掺杂氧化铈的机械性质.
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