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该文第一次提出一各横向型的少数载流子注入控制的场效应晶体管（Ｌ－ＭＩＣＦＥＴ），并对其进行了二维数值分析及验证。分析结果表明，该结构在Ｖ〈，Ｇ〉＝１０Ｖ，Ｖ〈，Ｄ〉＝４Ｖ时，电流密度比ＬＤＭＯＳ大３０℅以上，而关断时间与ＬＤＭＯＳ相近。同时还对该结构中县浮Ｐ区的不同位置设置进行了考虑。
横向型少数载流子注入控制的FET
【摘 要】
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该文第一次提出一各横向型的少数载流子注入控制的场效应晶体管（Ｌ－ＭＩＣＦＥＴ），并对其进行了二维数值分析及验证。分析结果表明，该结构在Ｖ〈，Ｇ〉＝１０Ｖ，Ｖ〈，Ｄ〉＝４Ｖ时，电流密度比ＬＤＭＯＳ大３０℅以上，而关断时间与ＬＤＭＯＳ相近。同时
【机 构】
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大学功率器件研究所(杭州)
【出 处】
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第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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1999年期
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