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直流磁控溅射SiC薄膜的制备与性能
直流磁控溅射SiC薄膜的制备与性能
来源 :第三届中国功能材料及其应用学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:saien
【摘 要】
:
该文采用直流磁控溅射法直接溅射烧结型SiC靶材制备SiC薄膜,通过控制系统的真空度和绝缘性能,得到了非晶SiC薄膜。研究了气体压力、溅射功率、靶基距等工艺条件对沉积速率的影
【作 者】
:
亓常松
冉均国
郑昌琼
【机 构】
:
联合大学无机材料系(成都)
【出 处】
:
第三届中国功能材料及其应用学术会议
【发表日期】
:
1998年期
【关键词】
:
直流磁控溅射法
膜的制备
薄膜
热敏特性
气体压力
控制系统
绝缘性能
溅射功率
工艺条件
沉积速率
真空度
烧结型
靶基距
硬度
非晶
测试
靶材
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该文采用直流磁控溅射法直接溅射烧结型SiC靶材制备SiC薄膜,通过控制系统的真空度和绝缘性能,得到了非晶SiC薄膜。研究了气体压力、溅射功率、靶基距等工艺条件对沉积速率的影响。测试了薄膜的硬度和热敏特性。
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