【摘 要】
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本文测试了SiC衬底,0.2μm栅长的AlN/GaN HEMT器件的小信号S参数。对比不同栅宽器件的频率特性,发现fmax随器件栅宽的增加而下降,且下降趋势与栅宽的-0.5次幂相关。提取
【机 构】
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Science and Technology on ASIC Laboratory, Hebei Semiconductor Research Institute, Shijiazhuang, 050
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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本文测试了SiC衬底,0.2μm栅长的AlN/GaN HEMT器件的小信号S参数。对比不同栅宽器件的频率特性,发现fmax随器件栅宽的增加而下降,且下降趋势与栅宽的-0.5次幂相关。提取不同栅宽器件的本征参数,发现栅宽增加,本征电容上升,输出电阻Rds下降,这两个因素导致了器件的fmax下降。分析了fmax随栅宽变化的规律,为今后毫米波GaN MMIC中GaN HEMT器件的栅宽设计提供了实验数据支持和理论指导。
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