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采用脉冲激光沉积技术(PLD)在p-GaN 薄膜表面制备了结晶质量较高的n-ZnO：Ga薄膜，然后分别在p-GaN 和n-ZnO：Ga薄膜表面制备了Ni/Pt 及Ti/Pt 金属电极，构造了n-ZnO：Ga/i-MgO/p-GaN 薄膜异质结发光二级管(LED)原型器件.Ⅰ-Ⅴ特性测试表明，器件具有较好的整流特性，正向开启电压约为7V.电致发光(EL)光谱表明，该器件表现出较强的紫外发光峰，中心波长位于385nm.此外还存在一个较弱的430nm 附近的蓝光发射.对比光致发光(PL)测试结果，可以判断器件的电致发光分别来源于n-ZnO：Ga 和p-GaN 两侧的辐射复合.