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Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体是最重要的化合物半导体材料之一,它们通常具有立方闪锌矿结构和六方纤锌矿结构,从-0.3eV(HgTe)到3.9eV(ZnS)的直接带隙结构,通过能带工程几乎覆盖了从远红外到紫外光谱范围内任何指定的带隙值,较大的激子束缚能,以及少子寿命对位错不敏感等优点使其在红外探测器、薄膜太阳电池、高能射线辐射探测器、短波长发光二极管和激光器等领域有着广泛的应用前景.目前基于HgCdTe的红外探测器已占据市场份额的主导地位,CdS/CdTe多晶薄膜太阳电池是投资回收期最短并获得了市场广泛应用的薄膜太阳电池产品.