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本文采用PVT(Physical Vapor Transport Method)方法生长出高质量4英寸SiC单晶。利用线切割、研磨和机械化学抛光等技术，最终获得了高结晶质量、低表面粗糙度的SiC晶片。
SiC单晶生长与表征
【摘 要】
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本文采用PVT(Physical Vapor Transport Method)方法生长出高质量4英寸SiC单晶。利用线切割、研磨和机械化学抛光等技术，最终获得了高结晶质量、低表面粗糙度的SiC晶片。
【机 构】
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北京天科合达蓝光半导体有限公司,北京,100190
【出 处】
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第十一届全国X射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心(ICDD)研讨会
【发表日期】
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2012年7期
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