【摘 要】
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Gd5(Si1-xGex)4化合物巨磁卡效应一直受到人们广泛关注。为了研究其磁卡效应，人们要么在绝热条件下，直接测量样品温度的变化，要么通过测量样品的热容量或者磁化强度随磁场和温度
【机 构】
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华中科技大学物理学院凝聚态物理与材料物理中心武汉430074
【出 处】
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全国磁热效应材料和磁制冷技术学术研讨会
论文部分内容阅读
Gd5(Si1-xGex)4化合物巨磁卡效应一直受到人们广泛关注。为了研究其磁卡效应，人们要么在绝热条件下，直接测量样品温度的变化，要么通过测量样品的热容量或者磁化强度随磁场和温度变化关系，并利用热力学麦克斯韦方程计算磁卡效应。在磁性测量过程中，磁场变化速率小，样品有充足的时间向环境吸收和释放磁卡热，因此测量是等温的。除了传统的稳态磁场以外，脉冲磁场也可以用于研究磁卡效应。研究表明，当脉冲时间低于120毫秒时，样品与环境的热交换可以忽略不计。这样，原则上可以直接测量材料的磁卡效应。但是，由于在非常短的脉冲时间内跟踪样品温度的困难，实际的报道很少。
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