【摘 要】
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我们利用第一性原理的密度泛函理论对ZnO 1-xSx体系进行了研究.我们发现了一个稳定的高压结构P21/m Zn8O2S6.这个结构形成了一种以Zn原子为中心,S原子和O原子占据顶点位置的八面体结构. 随后我们计算了它的电子结构,发现他在高压100GPa下是一种带隙为0.4698 eV的间接带隙半导体.我们还发现了几个压稳态结构如图所示.(b-c)是常压下的I-42m Zn4O3S(2f.u.),
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我们利用第一性原理的密度泛函理论对ZnO 1-xSx体系进行了研究.我们发现了一个稳定的高压结构P21/m Zn8O2S6.这个结构形成了一种以Zn原子为中心,S原子和O原子占据顶点位置的八面体结构. 随后我们计算了它的电子结构,发现他在高压100GPa下是一种带隙为0.4698 eV的间接带隙半导体.我们还发现了几个压稳态结构如图所示.(b-c)是常压下的I-42m Zn4O3S(2f.u.),I-42d Zn4O2S2(2f.u.)和P-43m Zn4OS3(1f.u.),他们都形成一种以Zn原子为中心,S原子和O原子占据顶点位置的四面体结构,而(e-g)高压结构,分别是P2/c Zn8O6S2,C2/m Zn4O2S2(2f.u.)和C2/m Zn5O4S(2f.u.),他们都是形成Zn原子为中心,S原子和S原子占据顶点位置的八面体结构.随后,我们计算了所有ZnO 1-xSx结构的电子能带发现他们都是半导体结构.同时,我们发现在常压下,随着S含量的不断增加,带隙的变化情况与前人研究结果不同.
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