【摘 要】
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采用化学气相沉积法,在1000℃下反应4h,成功制得了原位生长SiC纳米纤维改性炭纤维.采用XRD、SEM和TEM对SiC纳米纤维改性炭纤维的微观结构进行了表征,并对其介电性能和吸
【机 构】
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中南大学粉末冶金国家重点实验室,湖南长沙410083
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采用化学气相沉积法,在1000℃下反应4h,成功制得了原位生长SiC纳米纤维改性炭纤维.采用XRD、SEM和TEM对SiC纳米纤维改性炭纤维的微观结构进行了表征,并对其介电性能和吸波性能进行了研究.研究结果表明：SiC纳米纤维主要由茁-SiC相组成,均匀覆盖在炭纤维表面,其直径为几十纳米,长度为几微米；炭纤维经表面SiC纳米纤维改性后,其介电性能发生明显改变,吸波性能得到显著改善.相比于呈强反射特性的未改性炭纤维,SiC纳米纤维改性炭纤维在厚度为1-3.5mm,频率为5.0-17.9GHz时,其反射率峰值均小于-10dB；且当厚度为3.5mm,频率为5.6GHz时,其最小反射率达到了-34.6dB.SiC纳米纤维改性炭纤维可作为理想的轻质、宽频、强吸收的吸波剂应用于微波领域.
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