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电子级的三氯氢硅(TCS)作为硅外延片的关键原材料，其纯度直接影响硅外延层的性能。一般三氯氢硅(TCS)的纯度，除采用化学分析方法测试外，通常用生长本征外延层的方法来确定。即采取测量硅外延层本征电阻率的方法来衡量其纯度。论述了采用合理的硅外延生长工艺来测量三氯氢硅(TCS)的本征电阻率的反应原理以及是实验方法。