【摘 要】
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This talk will review the research on Ga-free InAs/InAsSb type-Ⅱ superlattices(T2SL),especially their growth,structural and electronic properties,and applications to IR lasers and photodetectors with
【机 构】
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School of Electrical,Computer and Energy Engineering Arizona State University Tempe,Arizona 85287
【出 处】
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The 13th International Conference on Mid-Infrared Optoelectr
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This talk will review the research on Ga-free InAs/InAsSb type-Ⅱ superlattices(T2SL),especially their growth,structural and electronic properties,and applications to IR lasers and photodetectors with the following highlights: 1)Review of the previous study of InAs/InAsSb T2SL and its application to IR lasers and photodetectors in the 90s.2)Long minority carrier lifetime up to 12.8μs in mid-wavelength infrared(MWIR)InAs/InAsSb T2SL was observed at 15 K,and 412 ns for long-wavelength infrared(LWIR)InAs/InAsSb T2SL were measured using time-resolved photoluminescence.The record long carrier lifetime in the MWIR range is due to carrier localization,which is confirmed by a 3 meV blue shift of the photoluminescence peak energy with increasing temperature from 15 K to 50 K,along with a photoluminescence linewidth broadening up to 40 K.In contrast,no carrier localization is observed in the LWIR T2SL.Modeling results show that carrier localization is stronger in shorter period(9.9 nm)MWIR T2SL as compared to longer period(24.2 nm)LWIR T2SL,indicating that the carrier localization originates mainly from InAs/InAsSb interface disorder.
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