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采用微波电子回旋共振等离子本增强化学气相沉积技术在单晶硅衬底上制备用于平面光波导的SiO<,2>薄膜，研究了沉积速率与工艺参数这间的关系，并对射频偏置对成膜特性的影响作了初步实验研究。
ECR PECVD制备用于平面光波导的SiO<,2>薄膜及掺Ge-SiO<,2>/Si类薄膜的研究
【摘 要】
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采用微波电子回旋共振等离子本增强化学气相沉积技术在单晶硅衬底上制备用于平面光波导的SiO薄膜，研究了沉积速率与工艺参数这间的关系，并对射频偏置对成膜特性的影响作了初步
【机 构】
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中国科学院等离子体物理研究所
【出 处】
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第九届全国等离子体科学技术会议
【发表日期】
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1999年期
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