论文部分内容阅读
Heterogeneous integration of InP-based type-Ⅱ active devices on silicon for 2μm wavelength range on-
【作 者】
：
【机 构】
：
PhotonicsResearchGroup,GhentUniversity-imec,Technologiepark-Zwijnaarde15iGent,9052Ghent,Belgium;Cent
【出 处】
：
The 13th International Conference on Mid-Infrared Optoelectr
【发表日期】
：
2016年9期
其他文献
以低维度材料为中心，设计和可控制备了系列新型材料，通过对材料物化性质的调控及其生化传感和电化学能源应用相结合的系统研究，揭示了低维度材料的结构效应，构建和制备了多种
会议
可贴合/可拉伸有机场效应器件具有优异的柔/弹性，可以像皮肤一样穿戴于人体或机器人表面，在可穿戴便携电子产品应用中具有重要意义，已成为当前有机电子学的研究热点。器件集
会议
基于分子间电荷转移过程的激基复合物材料体系是构建热活化延迟荧光(TADF)发光材料体系的热门备选。为了解决激基复合物发光材料体系发展中激子利用率低的关键科学问题，我
会议