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<正>平行板式的低气压容性耦合等离子体源(Capacitively Coupled Plasma,CCP)由于设备结构简单,空间均匀性好等特点,已广泛地应用于材料表面处理工艺中,如半导体芯片刻蚀及薄膜沉积、薄膜硅太阳能电池制备等工艺。为了提高材料表面处理的效率,如提高芯片的刻蚀率和薄膜的沉积速率,目前工业界中趋向于通过提高电源的驱动频率来实现。电源的驱动频率从传统的射频(13.56MHz)到几