论文部分内容阅读
法国作为世界科技和军事强国之一,其雷达电子战装各的发展思路与美国和英国有很多相似之处,其技术水平处于欧洲先进地位.本文介绍了法军电子对抗装备的现状,详细叙述了雷达电子战装各在各个作战平台上的具体应用,最后对法军电子对抗装备的发展趋势作了简要分析.
法军雷达电子战系统发展
【摘 要】
：
法国作为世界科技和军事强国之一,其雷达电子战装各的发展思路与美国和英国有很多相似之处,其技术水平处于欧洲先进地位.本文介绍了法军电子对抗装备的现状,详细叙述了雷达电
【机 构】
：
91404部队91分队,秦皇岛,066001
【出 处】
：
2006年雷达“四抗”新技术暨情报研究工作研讨会
【发表日期】
：
2006年期
其他文献
提出了一种基于串并联型单刀双掷(SPDT)微带开关模型上的复合网络分析方法,混合利用Z矩阵和A矩阵求出了串并联结构的SPDT微带开关S参数表示式.然后建立了的PIN管开路、短路的
低功耗的实现是嵌入式微处理器设计的最重要目标之一.为了减低动态和静态的功耗,人们已经将若干种相应的设计技术应用于实际设计中.然而在实际应用中,低功耗这个概念并不简单
本文根据DRO的基本原理,参考了国内外同行的电路布局,初步实现了三种DRO的电路设计.该类电路具有很好的生产性,它们覆盖了很宽的频带范围,根据不同的需求可用于本振和自检.
本文认真分析施工资料,准确判断井下情况,制造、改进修井工具,采取符合井下情况的工艺技术措施,对提高打捞成功率,缩短施工周期,避免井下情况复杂化,尽快恢复产能具有重要意
利用GaAs双栅结构FET管的高功率处理能力,以GaAs PHEMT工艺平台和集成电路设计技术为基础,研制开发了一种适用于移动通信基站和手机的GaAs MMIC单刀双掷大功率开关集成电路,
PHEMT材料采用外延手段生长有源层,可以得到比普通GaAs单晶片更好的器件特性,在相同条件下,PHMET器件的功率特性和线性性能均要好于MESFET器件.利用GaAs PHEMT集成电路的设计
会议
本文主要介绍了脉冲多普勒(PD)雷达的技术特征及其抗干扰能力,提出了针对脉冲多普勒雷达的干扰技术,并对干扰样式的实现进行了探讨.
雷达电子战系统在现代战争中的地位非常重要,世界各国对其都很重视,发展也十分迅速.本文简要阐述了雷达电子战系统发展趋势,并初步分析了今后该领域的发展重点,以方便相关人