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该文对用离子束溅射形成的Ｎｉ／Ｃｏ／Ｓｉ和Ｃｏ／Ｎｉ／Ｓｉ结构的固相反应进行了研究。四探针仪，ＲＢＳ和ＡＥＳ等测试表明，Ｎｉ／Ｃｏ／Ｓｉ和Ｃｏ／Ｎｉ／Ｓｉ在氮气中经高温退火后可形成（Ｎｉ－Ｃｏ）Ｓｉ〈，２〉相，其电阻率可达１６．４μΩ．ｃｍ，并发现其有一定的外延趋势。
Co,Ni,Si薄膜三元固相反应研究
【摘 要】
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该文对用离子束溅射形成的Ｎｉ／Ｃｏ／Ｓｉ和Ｃｏ／Ｎｉ／Ｓｉ结构的固相反应进行了研究。四探针仪，ＲＢＳ和ＡＥＳ等测试表明，Ｎｉ／Ｃｏ／Ｓｉ和Ｃｏ／Ｎｉ／Ｓｉ在氮气中经高温退火后可形成（Ｎｉ－Ｃｏ）Ｓｉ〈，２〉相，其电阻率可达１６．４μΩ．ｃｍ，并发现其有一定的外延趋势。
【机 构】
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大学电子工程系
【出 处】
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第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会
【发表日期】
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1997年期
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