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会议论文
Co,Ni,Si薄膜三元固相反应研究
Co,Ni,Si薄膜三元固相反应研究
来源 :第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:chcyu
【摘 要】
:
该文对用离子束溅射形成的Ni/Co/Si和Co/Ni/Si结构的固相反应进行了研究。四探针仪,RBS和AES等测试表明,Ni/Co/Si和Co/Ni/Si在氮气中经高温退火后可形成(Ni-Co)Si〈,2〉相,其电阻率可达16.4μΩ.cm,并发现其有一定的外延趋势。
【作 者】
:
莫鸿翔
茹国平
【机 构】
:
大学电子工程系
【出 处】
:
第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会
【发表日期】
:
1997年期
【关键词】
:
薄膜
固相反应
离子束溅射
高温退火
探针仪
电阻率
外延
结构
氮气
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该文对用离子束溅射形成的Ni/Co/Si和Co/Ni/Si结构的固相反应进行了研究。四探针仪,RBS和AES等测试表明,Ni/Co/Si和Co/Ni/Si在氮气中经高温退火后可形成(Ni-Co)Si〈,2〉相,其电阻率可达16.4μΩ.cm,并发现其有一定的外延趋势。
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