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本文介绍了一种利用单驱动电压控制通路选择的新型RF MEMS单刀双掷开关，利用三维仿真软件Ansoft HFSS和ANSYS进行仿真和优化设计该开关的性能。仿真结果表明：驱动电压为22V，开关时间为22μs，在中心频率30GHz处，开关处于down状态下的插入损耗为0.42dB，回波损耗为43dB，隔离度为29dB：而当开关处于up状态的插入损耗为0.53dB，回波损耗为19dB，隔离度为28dB，该开关的性能仿真和优化设计达到理想情况。