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基于密度泛函理论的第一性原理计算了(111)方向氢饱和硅纳米线的电子结构特性，能带计算结果表明硅纳米线与体硅不同，导带最小值和价带最大值均出现在G点(即Γ点。布里渊区000点)纳米线为直接带隙半导体，并且禁带宽度明显大于体硅。由态密度的计算结果可进一步发现导带底和价带顶附近的能带主要由中心硅原子相瓦作用所致，边缘硅原子作用较小，硅氢键几乎没有作用。