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n-ZnO/CdZnO/ZnO/p-GaN Multiple-quantum-well Light-emitting Diodes with MBE/MOCVD Growth
【机 构】
:
Institute of Photonics and Optoelectronics,National Taiwan University,Taipei,10167 Taiwan
【出 处】
:
第六届国际氧化锌及相关材料研讨会
【发表日期】
:
2010年4期
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