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采用气源分子束外延(GSMBE)生长了低温InGaAs材料，研究了生长温度以及As压对InGaAs材料性质的影响，优化生长条件：生长温度为300℃、As压为580 Torr。通过Be掺杂，并且采用In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As多量子阱结构，将材料的电阻提高到1.632×10～6Ω/sq，载流子浓度降低至1.058×10～14cm-3。XRD表明InGaAs多量子阱材料具有较高的晶体质量。这种Be掺杂lnGaAs多量子阱材料具有高陷阱密度和高电阻率，是制作太赫兹光电导天线合适的基质材料。