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Magnetoresistance amplification effect in silicon transistor device
【机 构】
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Key Laboratory for Magnetism and Magnetic materials of Ministry of Education,Lanzhou University,Lanz
【出 处】
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中国物理学会2016年秋季会议
【发表日期】
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2016年5期
其他文献
减速场能量分析仪(RFA)诊断已经被升级改造以测量离子温度、离子侧和电子侧的快电子通量等信息.该探头为双向探头，可以同时测量上游和下游的离子温度及马赫数.朗缪尔静电四探针紧贴RFA探针可以测量电子密度和温度.RFA探头安装于快动探针上，通过穿墙插座将同轴电缆线引出至采样电路.采样电路利用电阻分压采集电压信号.输出电压信号通过光电隔离器接入至数据采集系统.扫描电压利用整流桥将市电变换至100 Hz.
The kinetic ballooning mode(KBM)plays an important role in H mode formation and edge-localized mode(ELM)physics and internal transport barrier.A thorough understanding of the linear KBM physics is cru
会议
在托卡马克中，等离子体电流驱动是至关重要的研究问题之一，对于全超导托卡马克EAST来说，为了实现长脉冲高参数放电的目标，通过低杂波来驱动电流是必不可少的途径之一，因此研究低杂波驱动下的电流分布以及低杂波驱动电流的动理学演化机理就显的尤为重要。但是对于等离子体电流的测量，传统的方式只能通过内感去得到等离子电流的信息。在2014年，基于三波法测量原理的偏振干涉仪诊断系统(POlarimeter/INT
中国聚变工程实验堆CFETR(China Fusion Engineering Test Reactor)是中国正在筹备建设的下一代磁约束核聚变装置,而实现装置的稳态运行是CFETR的主要科学目标之一。我们基于CFETR装置设计的零维参数1,利用多程序集成模拟的方式得到了不含欧姆电流的稳态运行模式。该稳态运行模式使用NBI和ECCD等加热和电流驱动方式得到较强的反磁剪切平衡,该平衡的安全因子剖面整
偏滤器不对称性是托卡马克偏滤器位形与生俱来的，普遍存在于偏滤器位形中，研究在各种放电条件下特别是H-mode条件下粒子和热流在偏滤器靶板的不对称性，对于ITER和未来反应堆运行在长脉冲稳态高约束模式下是非常重要的。偏滤器的不对称性研究主要受边界等离子体输运的影响。一般认为漂移和平行流决定了刮削层(SOL)的等离子体输运。另一方面，私有通量区的漂移流在偏滤器的等离子体输运中也起着重要作用，可能引起偏
偏滤器作为现代磁约束核聚变装置的重要组成部分,其粒子排除性能对EAST实验起到至关重要的作用。本文主要针对EAST钨/碳偏滤器的粒子排除性能及其改善进行研究。首先,文章介绍了评估偏滤器的粒子排除性能的方法,根据公式ne=neoexp(-t-to/λt),对等离子体密度进行拟合并计算出衰减时间λt,以衰减时间的长短来直接反应偏滤器的粒子排除性能。
托卡马克实现稳态运行的关键问题之一是长脉冲放电中等离子体与壁相互作用的功率平衡研究.功率平衡研究的最终目的 是高效处理长脉冲放电中大量的第一壁热负荷同时做到不降低等离子体性能,所以第一壁热负荷测量及热负荷分布研究对于目前的长脉冲放电来说是必须关注的问题之一[1,2].EAST 全超导托卡马克面向等离子体的第一壁部件是用循环水进行主动冷却的,这为EAST实现高注入能量的长脉冲高约束模式运行提供必要而
铋基钙钛矿型化合物(BiMO3)在晶格对称性、极化和性能方面存在很大的差异.比如，多铁材料BiFeO3(BFO)由于其铁电转变温度(1100K)和反铁磁转变温度(640K)都远高于室温，且在室温下具有很大的铁电极化强度而受到广泛的关注.然而，对于BiMnO3(BMO)来说，其饱和磁化强度可达3.6μB/Mn(Tc=105K)，但BMO 的铁电性仍然存在争议.
硅基超导单光子(SSPD)和热电子测热(HET)器件等近年来受到广泛关注，制备高质量硅基NbTiN 超导超薄薄膜(～5nm)对于此类应用具有重要的意义.针对NbTiN 与硅基片晶格失配度较高导致超导性能的下降的难题，本文主要开展两方面的工作：一、考虑到器件的实际应用(工作波长～1.55μm)，研究采用在单晶硅片上低温条件下快速生长250nm 厚磷掺杂SiO2(PSG)薄膜作为硅与超导薄膜的过渡层，
通过电场调控磁性对于发展低能耗的自旋器件尤其是正在兴起的反铁磁自旋电子学器件具有重要意义。本文研究了界面工程在电场调控反铁磁金属IrMn以及调控IrMn/[Co/Pt]垂直交换耦合中的重要作用。实验通过在反铁磁IrMn和铁电基片PMN-PT之间插入不同种类、不同厚度的非磁性金属，结合霍尔器件探究了种子层对反铁磁磁矩的操控及IrMn/[Co/Pt]反常霍尔效应的影响。