ULSI互连布线中低介电常数(low-k)介质硬度的超声表面波表征方法

来源 :第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wohaha163

【摘要】

：

为适应电子器件向速度更快、集成度更高和功能更强层次的发展,集成电路金属互连系统的绝缘材料必须采用低介电常数(low-k)介质薄膜.在介质材料中引入大量纳米气孔可以有效的

【作者】

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肖夏;张生才;赵毅强;张为;姚素英;

【机构】

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天津大学电子信息工程学院(天津)

【出处】

：

第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

【发表日期】

：

2003年期

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为适应电子器件向速度更快、集成度更高和功能更强层次的发展,集成电路金属互连系统的绝缘材料必须采用低介电常数(low-k)介质薄膜.在介质材料中引入大量纳米气孔可以有效的降低k值,但严重降低了介质的硬度,限制了芯片制造过程中的化学机械抛光工艺.本研究采用超声表面波(SAW)技术对low-k介质样品的杨氏模量进行了测定.

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