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本文用光电流作用谱、光电流-电势图等光电化学方法研究了ITO/3-甲基噻吩和2-噻吩甲酸共聚物(CTCMT)膜电极和ITO/TiO2/ CTCMT 复合膜电极的光电转换性质。结果表明，CTCMT 膜为p-型半导体，禁带宽度为2.36eV，价带位置为-5.52eV。在ITO/TiO2/ CTCMT 复合膜电极中存在p-n 异质结，在一定条件下异质结的存在有利于光生电子-空穴对的分离。CTCMT 膜修饰ITO/TiO2 电极可使光电流增强，光电流起始波长红移至>600nm，使宽禁带半导体电极的光电转换效率得到改善。