【摘 要】
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以Si(100)片和ITO导电玻璃为衬底,用电化学沉积二氰二胺的饱和丙酮溶液为沉积液,得到了氮碳比接近或大于1的CN薄膜.用XPS、FT-IR手段对薄膜中的元素组成、氮碳元素的存在状态进行了研究,结果表明,薄膜中元素包括C、N、O,氮、碳主要以C-N单键、C=N双键存在,氧含量在5﹪~6﹪左右,以吸附氧为主.SEM图谱表明,薄膜致密、平滑,以均匀的纳米级CN颗粒组成.PL光谱显示在2.8~3.4e
【机 构】
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北京理工大学材料科学研究中心(北京)
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以Si(100)片和ITO导电玻璃为衬底,用电化学沉积二氰二胺的饱和丙酮溶液为沉积液,得到了氮碳比接近或大于1的CN<,x>薄膜.用XPS、FT-IR手段对薄膜中的元素组成、氮碳元素的存在状态进行了研究,结果表明,薄膜中元素包括C、N、O,氮、碳主要以C-N单键、C=N双键存在,氧含量在5﹪~6﹪左右,以吸附氧为主.SEM图谱表明,薄膜致密、平滑,以均匀的纳米级CN<,x>颗粒组成.PL光谱显示在2.8~3.4eV之间有较强的发射峰,随着氮含量的升高,发射峰的位置变化不大,但是强度有所变化.利用Tauc plot公式(αE)<1/2>=B(E-E<,opt>)对UV-Vis吸收光谱进行处理,结果表明薄膜的能带(E<,opt>)为1.0~1.7eV之间,随着氮含量的升高,E<,opt>降低.利用超高电阻仪测量硅片为衬底的薄膜电阻率为10<9>~10<10>Ω·cm,ITO导电玻璃为衬底的薄膜的电阻率为10<11>~10<15>Ω·cm之间.
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